利用BiCom3硅锗高速半导体工艺发展新一代高效能模拟器件

摘要：

@@ BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺,不仅提供很高的晶体管转换频率(transit frequency),还具备绝佳的线性特性和精准度.BiCom3以现有的数字工艺器件库为基础,包含种类齐全的数字器件.并整合数字逻辑与双极电路结构以制造更复杂的功能.近来有许多以无线通讯、医疗影像以及高阶测试与量测为目标的创新器件出现,代表了此工艺在高速器件设计的潜力.本文将介绍工艺本身的特点、工艺与某些器件效能参数的关联以及工艺在实际器件的应用结果.

机标关键词：硅锗、半导体、工艺发展、高效能、器件设计、应用结果、医疗影像、线性特性、无线通讯、数字器件、数字逻辑、数字工艺、电路结构、能参数、精准度、晶体管、转换、种类、制造、整合

分类号：TN3;TN2

在线出版日期：2007-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33