将磁性结构集成到标准CMOS工艺飞思卡尔让MRAM更上一层楼

摘要：

@@ 一般而言,闪存的工作原理是借助将浮动多晶硅(浮动栅)覆盖在栅氧化物上,来保存位于其上的电荷.此时闪存位单元的编程需要一个高电压场,才能将电子的速度提高到足够快,以便电子能够克服硅物质和浮动栅之间的氧化物的能量障碍,使电子能够穿过氧化物,给浮动栅充电,而浮动栅又会改变位单元晶体管的电压阈值.

机标关键词：磁性、结构集成、标准、工艺、飞思卡尔、栅氧化物、动栅、电子能、速度提高、闪存、过氧化物、工作原理、高电压、单元、晶体管、多晶硅、障碍、阈值、物质、能量

分类号：TP3;O62

在线出版日期：2006-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28-29