谁会成为万能的”通用型存储器”?

摘要：

@@ 一面是FLASH、DRAM等大行其道:一面是CMOS紧跟摩尔定律向更深亚微米阶段发展,在这样的情况之下,一个潜在的问题慢慢浮现,那就是存储技术的物理极限问题.随着工艺技术的演进,目前主导存储市场几十年的3种存储器技--DRAM、EEPROM、SRAM将临近它们的基本物理极限,再继续发展都显得很艰难.

机标关键词：通用型、基本物理极限、存储技术、深亚微米、摩尔定律、极限问题、工艺技术、存储器、市场

分类号：O4 ;TP3

在线出版日期：2006-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20