飞兆半导体推出四款30V、N沟道汽车应用MOSFET

摘要：

@@ 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已推出四款30V、N沟道PowerTrench?MOSFET,在小尺寸封装中提供高效率和耐用性,能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求.新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L备有D-PAK和I-PAK两种封装选项,适用于表面安装或通孔安装设计.在最大3.9毫欧(VGS=10V)条件下具有较高的功率密度和较小的封装尺寸,FDD044AN03L和FDU044AN03L分别采用TO-252(DPAK)和TO-251(I-PAK)封装方式,能在30V下提供最低的RDS(on).

机标关键词：半导体、沟道、封装方式、汽车应用、空间应用、功率密度、小尺寸、表面安装、安装设计、耐用性、效率、通孔

分类号：TN3;TM9

在线出版日期：2005-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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