AMD新型多值闪存简析

摘要：

@@ 美国AMD公司日前率先开始供应新型的NOR型Flash EEPROM的工业样品,这种新型产品依据新型的多值Flash EEPROM技术”Mir-ror Bit(MB)”生产,主要用于手机、PDA、车载设备、网络设备以及STB(机顶盒)等领域.这项已登记专利的创新技术,使闪存在性能不变的前提下存储容量比标准闪存多一倍,而且同样容易使用.这是一个成本低廉而高度可靠的解决方案,可与目前的解决方案管脚兼容,而且没有MLC闪存的缺点.而采用的工艺技术可支持较大的生产量,使产品成本下降.

机标关键词：型多、解决方案、闪存、工艺技术、网络设备、生产量、创新技术、成本下降、车载设备、产品、容量比、机顶盒、专利、样品、性能、手机、美国、工业、登记、存储

分类号：TG3;TD3

在线出版日期：2005-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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