利用扫描隧道显微术对SrTiO3(001)上生长CoSe/FeSe异质界面结构和谱学研究

摘要：

硒化铁/钛酸锶(001)(FeSe/SrTiO3(001),FeSe/STO)中界面增强的超导电性一直是近些年凝聚态物理领域的热点问题之一,基于FeSe薄膜构筑异质界面是调控其超导电性和构筑新奇量子物态的重要手段.本文报道了利用分子束外延在SrTiO3(001)衬底上制备了高质量硒化钴-硒化铁(CoSe/FeSe)纵向异质结的方法,利用扫描隧道显微镜和扫描隧道谱详细研究了该异质界面的电子性质和电子态密度的实空间分布.由于CoSe/FeSe界面存在强烈的电荷转移,FeSe处于过掺杂状态,导致FeSe/STO界面相互作用已不满足非绝热近似,以及FeSe中超导电性的消失.空间依赖的扫描隧道谱显示,CoSe/FeSe的异质界面边缘处出现了晶向依赖的边缘电子态和边角电子态,这些边界上的电子态受到CoSe/FeSe界面电荷转移效应的调制.该研究为基于单层FeSe/STO界面超导电性的调控及量子结构的构筑提供了借鉴.

关键词：分子束外延、扫描隧道显微镜、异质结、界面电荷转移、CoSe

所属期刊栏目：43

分类号：O469;O485;O511+.3;O484.1(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2024-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：269-276