10.3969/j.issn.1000-6281.2016.05.004
热处理对CuO纳米线生长的影响
本文通过热氧化法制备了CuO纳米线,利用X射线衍射和扫描电子显微镜,研究了温度和冷却方式对CuO纳米线生长的影响。600℃空冷样品只长出了少量CuO纳米线,600℃炉冷样品上观察到了大量CuO纳米线,400℃空冷样品上也生长了大量CuO纳米线,表明CuO纳米线的实际生长温度不高于400℃。温度比较高时,以CuO层的生长为主;在温度比较低时,以CuO纳米线的生长为主。这一结果可以通过铜离子在氧化层中的扩散过程来理解。
氧化铜纳米线、热氧化法、生长、扩散
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TB383.1;TN304.05;TG115.21+5.3(工程材料学)
北京工业大学基础研究基金项目 No. X4102001201301.
2016-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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