Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响

摘要：

通过磁控溅射仪制备了Ge2 Sb2 Te5（ GST）和Ag10?6（ GST）89?4薄膜，利用X射线衍射（ XRD）、电阻-温度（ R-T）测试、透射电子显微学以及径向分布函数（RDF）等方法对比研究了GST和Ag10?6（GST）89?4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高，而且结晶过程只有非晶相到面心立方相（ fcc）的转变，没有出现GST的非晶到fcc再到六方相（ hcp）的过程，XRD分析进一步证实了这一结果。同时，透射电镜原位加热实验证实了在300℃时，Ag10?6（ GST）89?4仍然保持着fcc结构，而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸，发现Ag10?6（ GST）89?4的平均晶粒尺寸小于Ge2 Sb2 Te5薄膜的，这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。

关键词：Ag掺杂、GeSbTe、相变材料、磁控溅射、透射电镜

分类号：TB34;TG111.5;TG115.21+5.3(工程材料学)

资助基金：国家重大科学研究计划No．2013CBA01900；国家自然科学基金重点资助项目No．11234011；全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目No．201214；北京市科技新星资助项目No． Z121103002512017．

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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