垂直布里奇曼法生长的Cd0.8 Mn0.2Te单晶体中Te沉淀相分析

摘要：

Cd1-xMnxTe(CdMnTe,cwr)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料.本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体.用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀.选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图.计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:α=0.31 nm,b=0.79 nm,c=0.47 nm,β=92.71°.确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0-31)Te//(-202)CMT,[100]Te//[111]CMT.最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析.

关键词：垂直布里奇曼(VB)法、稀释磁性半导体、Cd0.5Mn0.2Te、Te沉淀

所属期刊栏目：28

分类号：O782+.9;TN304.7;TN304.2;O77+5(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50336040

在线出版日期：2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：57-61