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10.3969/j.issn.1000-6281.2005.01.006

低维纳米材料中五次孪晶结构的透射电镜研究

引用
本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究.首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性.结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次孪晶结构特点,其中五次孪晶是由五个{111}晶体旋转组成.并针对五重旋转孪晶产生7°20'本征间隙的这一典型结构问题,进行了统计实验分析,提出了纳米线中五次孪晶的新的结构模型.电子能量损失谱(EELS)研究表明:五次孪晶的中心部位相对于Ag单晶,其Ag-M45峰向低能量方向有轻微漂移.单根纳米线的选区电子衍射或者是由[112]和[110]方向,或者是由[110]和[111]方向叠加产生的.对五次孪晶纳米线高温动态行为的透射电镜原位观察将有利于了解纳米线的生长机理.

高分辨透射电镜(HREM)、Ag纳米线、五次孪晶、选区电子衍射(SAED)、电子能量损失谱(EELS)

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TB383;O762;TG115.21+5.7;O766+.1(工程材料学)

国家自然科学基金10225415

2005-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1000-6281

11-2295/TN

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2005,24(1)

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