注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究

摘要：

离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径.本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化.实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷.片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0.084nm.实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带预部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大.

关键词：硅、氢、离子注入、高分辨电子显微术(HREM)、片状缺陷

所属期刊栏目：23

分类号：O613.72;O76(无机化学)

在线出版日期：2004-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：242-246