半导体二次电子像中的掺杂衬度

摘要：

本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果,总结了实验中发现的各种现象,并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释,并指出了这种技术的应用前景.

关键词：掺杂衬度、功函数、电离能

所属期刊栏目：21

分类号：O472.1;O471.5;O766.1(半导体物理学)

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：406-410