p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

摘要：

采用扫描隧道显微镜(STM)在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1 nm,对应存储密度高达1013 bit/cm2的信息存储点阵.电流-电压(I-V)曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0-1信息存储特性.PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入.

关键词：超高密度信息存储、扫描隧道显微镜、纳米有机薄膜

所属期刊栏目：20

分类号：TB383;O484.1;TN16(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金69890223

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：603-606