10.3969/j.issn.1001-0548.2016.02.008
DHMS中掺杂Cu2+电子顺磁共振参量及局部结构
基于晶体场模型,利用3d9离子斜方(C4v)伸长八面体对称EPR参量的高阶微扰公式,计算了(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O: Cu2+的g因子gi和超精细结构常数Ai。公式中晶场参量由重叠模型确定,计算中考虑了d轨道基态波函数的混合。研究结果表明,晶体(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O中络离子[Cu(H2O)6]2+的Cu2+-H2O键长Rx约为0.1872 nm,Ry约为0.2033 nm,Rz约为0.2292 nm;中心金属离子基态波函数混合系数α和β分别为0.995和0.0999。所得EPR参量理论计算与实验符合很好,并对上述结果进行了讨论。
晶体场理论、Cu2+离子、缺陷结构、晶体DHMS、电子顺磁共振
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O737(晶体物理)
国家自然科学基金11365017,11465015;江西省教育厅项目GJJ 151058
2016-06-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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