具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

摘要：

基于具有场板结构GaNHEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型.当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50 V提高到加场板后的225 V,增幅高出4倍.该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据.

关键词：解析模型、击穿电压、电场分布、场板、GaN

所属期刊栏目：37

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6140449

在线出版日期：2008-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：297-300