10.3969/j.issn.1001-0548.2007.04.024
宽带取样示波器校正中的kick-out脉冲研究
对取样示波器采用NTN校准技术中的kick-out脉冲的参数进行了分析;按照二极管时变电导的模式推导了kick-out脉冲参数的数学表达式;分析了影响kick-out脉冲的参数;提出了NTN校正技术应用的带宽范围和条件.仿真实验说明充电电容值越小,kick-out脉冲的频谱带宽越宽;二极管电感参数不对称有利于展宽频带,但增加了超调;由于选通脉冲泄漏,kick-out脉冲的频谱响应图中存在凹槽.
校准、kick-out脉冲、取样电路、取样示波器
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TM935
2007-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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