LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究

摘要：

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上Vc间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z.根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好.

关键词：缺陷结构、电子顺磁共振、晶体场和配位场理论、重叠模型

所属期刊栏目：35

分类号：O737(晶体物理)

在线出版日期：2006-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：500-502,506