4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

摘要：

用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30kΩ/square,Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10-4Ωcm2.

关键词：SiC、离子注入、欧姆接触、方块电阻

所属期刊栏目：32

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国防预研基金8.1.7.3

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：203-206