基于CMOS阈值电压设计的电压基准源

摘要：

基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源.通过采用CMOS阈值电压(Vth)和与温度成正比的电压(VPTAT)作为基础线性温度单元加权求和的方式,消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量,最终得到高精度的电压基准输出.其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生,VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成.实测结果证明,在-55℃～125℃温度范围内,电压基准源输出为1.23 V,温度系数为4.5 ppm/℃.在无滤波电容的情况下,基准电源抑制比可达-93 dB.

关键词：电压基准、阈值电压、温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：49

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35