先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复

摘要：

在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属.增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化.40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12％左右,这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小,在芯片设计时通常忽略它.然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中,这个时序偏差必须要进行修复.以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例,使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化;使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因;最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法,时序结果通过签核验证,有效提高了时序收敛的效率.

关键词：先进工艺、物理设计、冗余金属、寄生电容、时序修复

所属期刊栏目：48

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-44,49