InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征

摘要：

介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程.根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致,具有很好的近红外探测器研制价值.

关键词：InGaAs/GaAs、多量子阱、红外

所属期刊栏目：47

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：基础研发计划JCKY2019210B006

在线出版日期：2021-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：118-124