2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计

摘要：

基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片.该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器.一方面,采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式,将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分,一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络,进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配;另一方面,采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号.测试结果表明,在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内,实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53～1.64 dB的较低水平,且增益在18.1 ～ 19.2 dB之间,在2.5 GHz时输入1 dB压缩点为-1.5 dBm;在旁路模式下,插入损耗在工作频段内维持在约6～7 dB的水平.

关键词：GaAs pHEMT、低噪声放大器、低噪声、双模式

所属期刊栏目：47

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：广东省重点领域研发计划项目;国家自然科学基金;广东省珠江人才计划本土创新科研团队项目

在线出版日期：2021-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：17-20,47