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10.16157/j.issn.0258-7998.201192

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

引用
硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景.针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS).该器件在30-90 MHz频段范围内,小信号增益大于19 dB,在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W,功率附加效率达72.4%,具有优异的射频性能.

射频、场效应晶体管、分栅、高增益、宽带、高效率

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TN386.1(半导体技术)

2021-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1-4,11

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电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

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2021,47(7)

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