TSV可靠性综述

摘要：

对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的可靠性进行了综述,主要分为三个方面:热应力,工艺和压阻效应.TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大,过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连续性以及填充铜的质量;有源区中载流子的迁移率会受到TSV热应力的影响.在TSV周围规定一个保持区域(Keep-Out Zone,KOZ).KOZ设置为载流子迁移率不超过5％的区域.当载流子迁移率超过5％,可能会导致电路的时序被破坏,使集成电路失效.

关键词：TSV、KOZ、热应力、热膨胀系数

所属期刊栏目：47

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2021-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6