FinFET器件结构发展综述

摘要：

随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求.FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用.主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构.最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望.

关键词：场效应晶体管、FinFET、器件结构、工艺

所属期刊栏目：47

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2021-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：21-27