基于Ga2O3的场效应器件研究进展

摘要：

氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点.主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)的研究进展,对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳.

关键词：Ga2O3、宽禁带半导体、场效应晶体管

所属期刊栏目：46

分类号：TN4;O48(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金010201

在线出版日期：2020-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：22-26