期刊专题

10.16157/j.issn.0258-7998.190961

GaN FET的结构、驱动及应用综述

引用
随着电力电子装置的小型化和轻量化,宽禁带半导体器件GaN FET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注.在GaN FET的发展中,其结构和驱动对其安全应用至关重要.首先介绍了目前GaN FET器件的主要结构、工作原理及其产品现状;其次,总结了其驱动电路的隔离方式、常用的分立式驱动电路和集成式驱动电路的结构及原理;最后,对GaN FET在电力电子领域的应用情况进行了概述.

GaN FET、结构、原理、驱动、产品、应用

46

TN303(半导体技术)

陕西省重点学科专项基金105-5X1201

2020-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

22-29,38

暂无封面信息
查看本期封面目录

电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

46

2020,46(1)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn