基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

摘要：

为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料.利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件.并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度＞400 kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)＞2.4.

关键词：共振隧穿二极管、峰值电流密度、峰谷电流比

所属期刊栏目：45

分类号：TN385(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-33,39