GaAs基双相压控衰减器MMIC设计

摘要：

基于0.25 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款工作在13～16 GHz的双相压控衰减器.电路采用平衡式结构,以获得小的输入、输出回波损耗;衰减器部分采用T型衰减结构和π型衰减结构级联的方式;并联支路采用多栅开关管串联的形式,减小寄生,提高线性度.仿真结果表明,所设计的压控衰减器在工作频带(13～16 GHz)内,输入、输出回波损耗小于-14 dB,插入损耗为-12.5 dB,衰减范围达到20 dB以上,输入1 dB压缩点大于30 dBm,芯片尺寸为1.8 mm×1.2 mm.

关键词：压控衰减器、大衰减范围、砷化镓、赝配高电子迁移率晶体管

所属期刊栏目：45

分类号：TN715(基本电子电路)

资助基金：陕西省科技厅重点项目2017ZDXM-GY-004

在线出版日期：2019-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-47,51