DC-30GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计

摘要：

采用0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程.通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善.仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz,小信号增益约为8.5 dB,1 dB压缩点输出功率约为21 dBm,功率附加效率最高能达到20％以上.

关键词：分布式放大器、GaAs、pHEMT

所属期刊栏目：44

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-51,55