10.16157/j.issn.0258-7998.173893
Latch-up测试中负电流的影响和防护
阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护措施.
Latch-up、负电流、模拟电压缓冲器、线性稳压器
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TN433(微电子学、集成电路(IC))
2018-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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