一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计

摘要：

在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度.同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比.对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5V的电源电压下,PSRR为-83.6 dB,温度系数为2.27 ppm/℃.

关键词：电压基准源、低温漂、高电源抑制比

所属期刊栏目：44

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：模拟集成电路重点实验室资助项目6142802010101

在线出版日期：2018-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-19,23