45nm MOSFET射频小信号噪声等效电路建模直接提取方法

摘要：

针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了射频小信号模型参数之后,基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论,使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件,从而分析推导出射频噪声参数模型,并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比,在相应的频段内显示出很好的正确性.

关键词：等效电路、射频小信号、噪声参数、参数提取

所属期刊栏目：43

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2017-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-35,39