65 nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象

摘要：

基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试.针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析.详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系.通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因,即PMOS由于寄生双极效应,在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽.高温条件会使得寄生双极效应更加严重,因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显.

关键词：单粒子瞬态、多峰现象、65 nm反相器

所属期刊栏目：43

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-02-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23