4H-SiC MESFET特性对比及仿真

摘要：

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构.对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG,通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性.结果表明,当EPCG为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA;当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时,最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值.

关键词：仿真、4H-SiC MESFET、阶梯栅、坡形栅

所属期刊栏目：43

分类号：TN386.2(半导体技术)

在线出版日期：2017-02-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,19