多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究

摘要：

瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题.针对一款具有两种电源电压的0.18 μm SRAM电路,利用“强光一号”装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时间,并对试验结果进行了分析.高电源电压扰动恢复时间优于低电源电压扰动恢复时间,该发现对多电压集成电路瞬时剂量率效应的评估和加固具有指导意义.

关键词：瞬时剂量率、多电压、γ脉冲、扰动

所属期刊栏目：43

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-02-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-9