纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

摘要：

基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型.其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中.通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性.

关键词：纳米级金属氧化物场效应晶体管、亚阈值区、漏极电流、栅极电流、频率依赖性

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69901003

在线出版日期：2016-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-22,26