一种改善LTE应用功率放大器性能的设计

摘要：

针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于InGaP/GaAs HBT工艺的两级F类功率放大器.该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度.此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率.该功放在工作电压为3.4V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 dB,1 dB压缩点为30 dBm,最高效率点达到46％;平均输出功率为28 dBm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4dBc,功率附加效率为38％.

关键词：三阶交调失真、级间谐波抑制、F类、功率放大器

所属期刊栏目：42

分类号：TN927

资助基金：国家自然科学基金500150058

在线出版日期：2016-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：47-50,57