基于OLS码的检错纠错抗辐射加固设计

摘要：

由辐射粒子引起的多单元翻转(MCUs)已经成为了影响存储器可靠性的一个主要问题.而存储器抗MCUs的加固方法一般是使用可以纠正多个错误的错误纠正码(ECCs).使用了正交拉丁方(OLS)码的故障容错系统被构造用以纠正存储器中的多个错误.OLS码是一类一步大数逻辑可译(OS-MLD)码,可以使用非常简单的大数逻辑电路来进行译码.由Verilog硬件描述语言实现设计,并且使用ModelSim进行了功能验证.

关键词：多单元翻转、错误纠正码、OLS码、OS-MLD码

所属期刊栏目：42

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61501275;黑龙江省青年科学基金QC2015073;齐齐哈尔市工业攻关项目GYGG-201511

在线出版日期：2016-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：44-46