航空辐射环境SRAM存储芯片单粒子翻转实验综述

摘要：

随着集成电子器件的快速发展,应用在航空电子系统中的SRAM型存储器件集成度也越来越高,尺寸越来越小,其发生单粒子翻转效应的可能性也越来越高,对航空飞行的可靠性和安全性带来严重的隐患.针对国外已有的SRAM型存储芯片的地面辐射实验、航空飞行实验结果进行归纳总结,分析SRAM存储芯片受单粒子翻转效应的影响以及失效特点.

关键词：单粒子翻转、SRAM、辐照实验、飞行实验

所属期刊栏目：42

分类号：TN409(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金委员会与中国民用航空局联合资助项目U1333120;中央高校基本科研业务费项目3122014C025;民航科技创新引导资金重大专项项目MHRD20140103;民航科技创新引导资金项目MHRD20140208;天津市自然科学基金联合资助项目15JCQNJC42800

在线出版日期：2016-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,33