ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

摘要：

日前,ROHM宣布成为世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制.与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50％,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗.

机标关键词：太阳能发电、功率调节器、芯片尺寸、相关设备、沟槽结构、功率损耗、导通电阻、备用电源、平面型、逆变器、工业用、工业设、体制、开发

所属期刊栏目：41

分类号：TP3;TP2

在线出版日期：2015-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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