期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7998.2013.03.021

开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

引用
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据.给出了测试过电流和过电压的电路图.同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态.最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程.

过流、过压、热点、线性区、过电性应力

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TN609(电子元件、组件)

2013-06-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

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2013,39(3)

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