3～5GHz超宽带可变增益CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz～5 GHz的增益连续可调CMOS低噪声放大器.采用RC电阻负反馈式结构以获得良好的输入匹配和噪声性能.通过改变第二级MOS管的偏流,在工作频段内获得了36.5 dB的连续增益可调.

关键词：超宽带、低噪声放大器、增益可调、CMOS

所属期刊栏目：38

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：46-48