3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

摘要：

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB.

关键词：CMOS、超宽带、低噪声放大器、高阶带通滤波器、并联低Q值负载结构

所属期刊栏目：37

分类号：TN710;TN432(基本电子电路)

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-55,59