1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计

摘要：

针对1.9 GHz PHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于0.9 V低电压的CMOS射频低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析.该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器,利用晶体管线性补偿技术,实现了低压低功耗下的高线性度.采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证.

关键词：低电压、低功耗、低噪声放大器、噪声系数、线性度

分类号：TN722.25(基本电子电路)

资助基金：教育部新世纪优秀人才支持计划项目A0160419950120

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56