10.3969/j.issn.0258-7998.2010.05.035
功率MOSFET并联应用
从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因.
功率MOSFET、并联、振荡
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TN609(电子元件、组件)
2010-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
91-93
10.3969/j.issn.0258-7998.2010.05.035
功率MOSFET、并联、振荡
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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