Maxim推出高线性度的下变频SiGe混频器

摘要：

@@ Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成的2000MHz～3900MHz下变频器MAX19996A.该器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体,能够工作于极宽的频段范围.

机标关键词：高线性度、下变频器、SiGe、噪声性能、完全集成、器件、集成特性、缓冲器、BiCMOS、设计、频段、单片

所属期刊栏目：35

分类号：TN4;TP2

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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