硅片双面研磨过程数学模拟及分析

摘要：

建立了双面研磨过程中硅片表面上的一点相对于研磨盘的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹.轨迹和实验结果表明,在其他双面研磨工艺不变的情况下,改变研磨机4个部分(游轮片的公转速度ωh、研磨大盘的转速ωp、内齿轮转速ωs和外齿轮转速ωr)的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度.优化4个转速,可以显著改善硅片表面的平整度和局部平整度.

关键词：硅片、双面研磨、数学模拟、轨迹

所属期刊栏目：53

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2024-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-44