基于锗激光标识的正交实验设计

摘要：

为了得到标识清楚且不损伤锗晶片特性的激光标识,借助于正交实验设计的方法,对激光平均输出功率值、脉冲激光频率和标刻速度对晶片进行了DOE(正交实验设计)和极差分析.通过极差分析得到4个影响因素的主次关系为激光发生器功率值>标刻速度>激光频率>空白(其余因素).得到标刻深度的最佳配方为标刻速度200 mm/s,激光发生器平均输出功率值46％,脉冲激光频率为18 kHz.此时标刻深度为230μm.

关键词：锗片、激光标识、正交实验、输出功率

所属期刊栏目：53

分类号：TN304.1(半导体技术)

在线出版日期：2024-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23