垂直布里奇曼法制备碲化汞晶体技术研究

摘要：

介绍了碲化汞单晶材料的性能特点、应用领域、制备技术及面临的挑战.根据材料特性采用布里奇曼法设计和优化设备细节和核心工艺参数,分析了炉体核心材料、热场结构以及杂质去除技术和精确控制生长速度等对碲化汞晶体材料质量的影响,为设备和工艺优化积累了依据.展望了布里奇曼法制备碲化汞单晶的技术创新措施可以提高单晶体的质量和性能,推动相关领域的技术进步和产业升级.

关键词：红外探测、半导体光电材料、碲化汞、垂直布里奇曼法、晶体生长

所属期刊栏目：53

分类号：TN304.05(半导体技术)

在线出版日期：2024-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20